記憶體進入TB級, Intel 展示 3D Xpoint 記憶體

Intel 在去年與 Micron 攜手推出 3D Xpoint 革命性儲存技術， 其性能、耐用性是普通 NAND 的1000倍，儲存密度則是 DRAM 的10倍， 這種劃時代的革命性產品也將會在今年推出，最近已經有實品展示。 Intel 開發的 DIMM DDR4 插槽的 3D XPoint 原型產品 DRAM 記憶體速度快，效能強，但容量小，而且斷電會失去數據， 而 NAND 快閃記憶體容量大，成本低，但效能比 DRAM 要差，不過它是非易失性的，斷電後數據還在， 研發人員一直在尋找結合兩種儲存晶片優點的產品來取代記憶體。 Intel 的 3D XPoint 就具備了這樣的功能，在某種程度上它已經模糊了記憶體與快閃記憶體之間的界限。 未來 Intel 將會推出基於 3D XPoint 技術的儲存產品，最高階的就是用於系統記憶體的產品， Intel 表示在一套雙路CPU系統平台上，3D XPoint 技術的記憶體容量可達6TB。